MOSFET Typ P-kanałowy 280 mA E-Line 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 5 Ω ZVP2106A
- Nr art. RS:
- 669-7596
- Nr części producenta:
- ZVP2106A
- Producent:
- DiodesZetex
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*
30,92 zł
(bez VAT)
38,03 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 210 szt. dostępne od 16 lutego 2026
- Dodatkowe 14 960 szt. dostępne od 23 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 10 - 30 | 3,092 zł | 30,92 zł |
| 40 - 190 | 2,79 zł | 27,90 zł |
| 200 - 990 | 2,475 zł | 24,75 zł |
| 1000 - 1990 | 2,156 zł | 21,56 zł |
| 2000 + | 1,854 zł | 18,54 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 669-7596
- Nr części producenta:
- ZVP2106A
- Producent:
- DiodesZetex
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ P | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 280mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 60V | |
| Typ obudowy | E-Line | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 5Ω | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 2.2nC | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 700mW | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Wysokość | 4.01mm | |
| Długość | 4.77mm | |
| Szerokość | 2.41 mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ P | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 280mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 60V | ||
Typ obudowy E-Line | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 5Ω | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 2.2nC | ||
Maksymalna strata mocy Pd 700mW | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Wysokość 4.01mm | ||
Długość 4.77mm | ||
Szerokość 2.41 mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101 | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
P-Channel MOSFET, 40 V do 90 V, Diody Inc
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Powiązane linki
- MOSFET Typ P-kanałowy 280 mA E-Line 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 5 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 230 mA E-Line 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 14 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 230 mA E-Line 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 8 Ω ZVP2110A
- MOSFET Typ P-kanałowy 230 mA E-Line 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 14 Ω BS250P
- MOSFET Typ P-kanałowy 280 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 450 mA E-Line 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 2 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 600 mA E-Line 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 1 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 320 mA E-Line 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 4 Ω