MOSFET Typ N-kanałowy 170 mA SOT-23 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 360 mW onsemi 6 Ω BSS123

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)*

9,90 zł

(bez VAT)

12,20 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Liczba sztuk gotowa do wysyłki: 300
  • Dodatkowe 2180 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
10 - 900,99 zł9,90 zł
100 - 2400,855 zł8,55 zł
250 - 4900,738 zł7,38 zł
500 - 9900,648 zł6,48 zł
1000 +0,59 zł5,90 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
671-0321
Numer artykułu Elfa Distrelec:
304-43-725
Nr części producenta:
BSS123
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanału

Typ N

Maksymalny ciągły prąd drenu Id

170mA

Maksymalne napięcie dren-źródło Vds

100V

Typ obudowy

SOT-23

Seria

PowerTrench

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds

6Ω

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs

20 V

Napięcie przewodzenia Vf

1.3V

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Maksymalna strata mocy Pd

360mW

Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs

1.8nC

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

2.92mm

Wysokość

0.93mm

Szerokość

1.3 mm

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

PowerTrench® N-Channel MOSFET, do 9.9A, Fairchild Semiconductor


Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym


On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.

Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Powiązane linki