- Nr art. RS:
- 671-0936
- Nr części producenta:
- FQD10N20CTM
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
2,67 zł
(bez VAT)
3,28 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
5 - 20 | 2,67 zł | 13,35 zł |
25 - 95 | 2,08 zł | 10,42 zł |
100 - 245 | 1,41 zł | 7,06 zł |
250 - 495 | 1,38 zł | 6,91 zł |
500 + | 1,35 zł | 6,76 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 671-0936
- Nr części producenta:
- FQD10N20CTM
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
QFET® N-Channel Fairchild Semiconductor, 6A do 10.9A
Nowe Fairchild Semiconductor, płaskie tranzystory MOSFET QFET®, oparte na Advanced, opatentowanej technologii, zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność operacyjną dla szerokiego zakresu zastosowań, w tym zasilaczy, przetworników PFC (Power Factor Correction), przetworników DC-DC, paneli wyświetlaczy plazmowych (PDP), stateczników oświetlenia i sterowania ruchem.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 7.8 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
Typ opakowania | DPAK |
Seria | QFET |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 360 milioma |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
Maksymalna strata mocy | 50 W |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 20 nC przy 10 V |
Liczba elementów na układ | 1 |
Szerokość | 6.1mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
Długość | 6.6mm |
Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
Wysokość | 2.3mm |
- Nr art. RS:
- 671-0936
- Nr części producenta:
- FQD10N20CTM
- Producent:
- Fairchild Semiconductor