MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 5 Ω 2N7000

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 20 sztuk/i)*

28,36 zł

(bez VAT)

34,88 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 540 szt. dostępne od 19 stycznia 2026
  • Dodatkowe 2320 szt. dostępne od 19 stycznia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
20 - 1801,418 zł28,36 zł
200 - 4801,224 zł24,48 zł
500 - 9801,058 zł21,16 zł
1000 - 19800,932 zł18,64 zł
2000 +0,849 zł16,98 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
671-4733
Numer artykułu Elfa Distrelec:
304-43-722
Nr części producenta:
2N7000
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanału

Typ N

Maksymalny ciągły prąd drenu Id

200mA

Maksymalne napięcie dren-źródło Vds

60V

Seria

2N7000

Typ obudowy

TO-92

Typ montażu

Otwór przelotowy

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds

5Ω

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs

0.8nC

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Napięcie przewodzenia Vf

0.88V

Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs

20 V

Maksymalna strata mocy Pd

400mW

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Szerokość

4.19 mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

5.33mm

Długość

5.2mm

Norma motoryzacyjna

Nie

Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym


On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.

Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Powiązane linki