MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 5 Ω 2N7000

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa 200 sztuk/i (dostarczane w torbie)*

244,80 zł

(bez VAT)

301,20 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 7440 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
200 - 4801,224 zł
500 - 9801,058 zł
1000 - 19800,932 zł
2000 +0,849 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
671-4733P
Nr części producenta:
2N7000
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ kanału

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maksymalny ciągły prąd drenu Id

200mA

Maksymalne napięcie dren-źródło Vds

60V

Seria

2N7000

Typ obudowy

TO-92

Typ montażu

Otwór przelotowy

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds

5Ω

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Napięcie przewodzenia Vf

0.88V

Maksymalna strata mocy Pd

400mW

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs

0.8nC

Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs

20 V

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Długość

5.2mm

Wysokość

5.33mm

Szerokość

4.19 mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Norma motoryzacyjna

Nie

Zaawansowany MOSFET, Fairchild Semiconductor. Advanced Power MOSF


Technologia lawinowa

Technologia pochłaniania oparów o podwyższonej wytrzymałości

Niższa pojemność wejściowa

Ulepszone ładowanie bramki

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym


On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.

Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Powiązane linki

Recently viewed