- Nr art. RS:
- 671-4935
- Nr części producenta:
- FQA32N20C
- Producent:
- onsemi
5 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
11,22 zł
(bez VAT)
13,81 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
5 - 5 | 11,22 zł | 56,12 zł |
10 - 95 | 9,06 zł | 45,32 zł |
100 - 495 | 7,49 zł | 37,44 zł |
500 - 995 | 6,26 zł | 31,28 zł |
1000 + | 5,33 zł | 26,64 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 671-4935
- Nr części producenta:
- FQA32N20C
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
QFET® N-Channel MOSFET, ponad 31A, Fairchild Semiconductor
Nowe Fairchild Semiconductor, płaskie tranzystory MOSFET QFET®, oparte na Advanced, opatentowanej technologii, zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność operacyjną dla szerokiego zakresu zastosowań, w tym zasilaczy, przetworników PFC (Power Factor Correction), przetworników DC-DC, paneli wyświetlaczy plazmowych (PDP), stateczników oświetlenia i sterowania ruchem.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 32 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
Typ opakowania | TO-3PN |
Seria | QFET |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 82 miliomy |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
Maksymalna strata mocy | 204 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
Szerokość | 5mm |
Długość | 15.8mm |
Liczba elementów na układ | 1 |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 82,5 nC przy 10 V |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Materiał tranzystora | Si |
Wysokość | 18.9mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 671-4935
- Nr części producenta:
- FQA32N20C
- Producent:
- onsemi