MOSFET N-kanałowy FQP13N10 100 V 12.8 A 3-Pin TO-220AB QFET Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

QFET® N-Channel MOSFET, 11A do 30A, Fairchild Semiconductor

Nowe Fairchild Semiconductor, płaskie tranzystory MOSFET QFET®, oparte na Advanced, opatentowanej technologii, zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność operacyjną dla szerokiego zakresu zastosowań, w tym zasilaczy, przetworników PFC (Power Factor Correction), przetworników DC-DC, paneli wyświetlaczy plazmowych (PDP), stateczników oświetlenia i sterowania ruchem.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 12.8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 100 V
Typ opakowania TO-220AB
Typ montażu Otwór przezierny
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 180 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS 2V
Maksymalna strata mocy 65 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -25 V, +25 V
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 4.7mm
Długość 10.1mm
Maksymalna temperatura robocza +175 °C
Seria QFET
Wysokość 9.4mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 12 nC przy 10 V
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Materiał tranzystora Si
210 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
300 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 5)
3,83
(bez VAT)
4,71
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
5 - 20
3,83 zł
19,14 zł
25 - 95
3,22 zł
16,12 zł
100 - 245
2,50 zł
12,52 zł
250 - 495
2,37 zł
11,85 zł
500 +
2,20 zł
11,01 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: