RS Components
Nasza strona wykorzystuje pliki cookie i podobne technologie, aby zapewnić lepszą obsługę podczas wyszukiwania produktów lub składania zamówień, a także w celu opracowania analiz oraz umożliwienia personalizacji naszych reklam.
 
MPN

MOSFET N-kanałowy FQP13N10 100 V 12.8 A 3-Pin TO-220AB QFET Pojedynczy Si


70 Dostawa w ciagu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa moze potrwac o 1 dzien roboczy dluzej w zaleznosci od miejsca doreczenia
155 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Add to Basket

Cena za szt. (opak. á 5)

3,60 zł

(bez VAT)

4,42 zł

(z VAT)

Sztuki

Dodano do koszyka

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
671-5023
Nr części producenta:
FQP13N10
Producent:
ON Semiconductor
SztukiPer unitZa opakowanie*
5 - 203,60 zł17,98 zł
25 - 953,04 zł15,18 zł
100 - 2452,35 zł11,77 zł
250 - 4952,23 zł11,14 zł
500 +2,07 zł10,35 zł
*cena za opakowanie

QFET® N-Channel MOSFET, 11A do 30A, Fairchild Semiconductor


Nowe Fairchild Semiconductor, płaskie tranzystory MOSFET QFET®, oparte na Advanced, opatentowanej technologii, zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność operacyjną dla szerokiego zakresu zastosowań, w tym zasilaczy, przetworników PFC (Power Factor Correction), przetworników DC-DC, paneli wyświetlaczy plazmowych (PDP), stateczników oświetlenia i sterowania ruchem.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.


Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

AtrybutParametr
Typ kanałuN
Maksymalny ciągły prąd drenu12.8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
Typ opakowaniaTO-220AB
Typ montażuOtwór przezierny
Liczba styków3
Maksymalna rezystancja dren-źródło180 mΩ
Tryb kanałowyRozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS2V
Maksymalna strata mocy65 W
Konfiguracja tranzystoraPojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło-25 V, +25 V
Liczba elementów na układ1
Długość10.1mm
Szerokość4.7mm
Materiał tranzystoraSi
SeriaQFET
Minimalna temperatura robocza-55 °C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs12 nC przy 10 V
Wysokość9.4mm
Maksymalna temperatura robocza+175 °C