MOSFET N-kanałowy 40 A ISOTOP 600 V Montaż na śrubie Pojedynczy 460 W 130 miliomów
- Nr art. RS:
- 687-5226
- Nr części producenta:
- STE40NC60
- Producent:
- STMicroelectronics
12 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
177,71 zł
(bez VAT)
218,58 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 177,71 zł |
| 10 - 49 | 164,03 zł |
| 50 - 99 | 156,56 zł |
| 100 - 199 | 138,06 zł |
| 200 + | 128,84 zł |
- Nr art. RS:
- 687-5226
- Nr części producenta:
- STE40NC60
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V do 650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 40 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | ISOTOP |
| Seria | MDmesh, SuperMESH |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 130 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 460 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 38.2mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 307,5 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 25.5mm |
| Wysokość | 9.1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -65 °C |
- Nr art. RS:
- 687-5226
- Nr części producenta:
- STE40NC60
- Producent:
- STMicroelectronics