MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 55 V Pojedynczy 300 W 6,5 milioma
- Nr art. RS:
- 687-5305
- Nr części producenta:
- STP80NF55-06
- Producent:
- STMicroelectronics
14 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
14,56 zł
(bez VAT)
17,91 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 14,56 zł | 29,12 zł |
| 10 - 18 | 13,66 zł | 27,32 zł |
| 20 - 48 | 12,99 zł | 25,97 zł |
| 50 - 98 | 12,24 zł | 24,48 zł |
| 100 + | 11,68 zł | 23,36 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 687-5305
- Nr części producenta:
- STP80NF55-06
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję.
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 80 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Seria | STripFET II |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 6,5 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 300 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.6mm |
| Długość | 10.4mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 142 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 9.15mm |