MOSFET N-kanałowy 19 A PowerPAK SO-8 30 V SMD Pojedynczy 4.8 W 8 miliomów

Cena netto szt. (na rolce)**. Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

3,80 zł

(bez VAT)

4,67 zł

(z VAT)

1985 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

Wysyłka standardowa

**cena orientacyjna

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	19 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	PowerPAK SO-8
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	8 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	4.8 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Szerokość	5.89mm
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	20 nC przy 10 V, 8,8 nC przy 4,5 V
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Długość	4.9mm
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Wysokość	1.04mm