MOSFET N-kanałowy 45 A D2PAK (TO-263) 250 V SMD Pojedynczy 3.75 W 58 miliomów
- Nr art. RS:
- 710-5026
- Nr części producenta:
- SUM45N25-58-E3
- Producent:
- Vishay
1585 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
21,83 zł
(bez VAT)
26,85 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 21,83 zł |
| 10 - 49 | 19,62 zł |
| 50 - 99 | 17,42 zł |
| 100 - 249 | 15,93 zł |
| 250 + | 13,77 zł |
- Nr art. RS:
- 710-5026
- Nr części producenta:
- SUM45N25-58-E3
- Producent:
- Vishay
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- TW
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 45 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 250 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 58 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 3.75 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 95 nC przy 10 V |
| Szerokość | 9.65mm |
| Długość | 10.41mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 4.83mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 710-5026
- Nr części producenta:
- SUM45N25-58-E3
- Producent:
- Vishay