MOSFET P-kanałowy BSS192,115 240 V 200 mA 3-Pin SOT-89 SMD Pojedynczy Si

  • Nr art. RS 725-8313
  • Nr części producenta BSS192,115
  • Producent Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

MOSFET P-Nexperia

Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 200 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 240 V
Typ opakowania SOT-89
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 12 Ω
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 2.8V
Minimalne napięcie progowe VGS 0.8V
Maksymalna strata mocy 1 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 2.6mm
Materiał tranzystora Si
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Wysokość 1.6mm
Długość 4.6mm
910 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 10)
1,72
(bez VAT)
2,12
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 +
1,72 zł
17,23 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: