MOSFET P-kanałowy BSS192,115 240 V 200 mA 3-Pin SOT-89 SMD

  • Nr art. RS 725-8313
  • Nr części producenta BSS192,115
  • Producent Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 200 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 240 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 12 Ω
Maksymalne napięcie progowe VGS 2.8V
Minimalne napięcie progowe VGS 0.8V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOT-89
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 3
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 1 W
Długość 4.6mm
Wymiary 4.6 x 2.6 x 1.6mm
Szerokość 2.6mm
Liczba elementów na układ 1
Materiał tranzystora Si
Typowy czas opóźnienia włączenia 5 ns
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 55 pF przy -25 V
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 20 ns
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Wysokość 1.6mm
990 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 10)
0,77
(bez VAT)
0,94
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 +
0,77 zł
7,67 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: