MOSFET N-kanałowy 2.7 A SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 1.25 W 92 miliomy

Nr art. RS:: 725-9341
Nr części producenta:: IRLML0060TRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 2.7 A SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 1.25 W 92 miliomy

580 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

7220 Dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Cena netto za szt. (opak. á 20)

1,43 zł

(bez VAT)

1,75 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę	Za opakowanie*
20 - 180	1,43 zł	28,50 zł
200 - 480	1,07 zł	21,38 zł
500 - 980	1,00 zł	19,94 zł
1000 - 1980	0,93 zł	18,52 zł
2000 +	0,86 zł	17,10 zł

*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 725-9341
Nr części producenta:: IRLML0060TRPBF
Producent:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	2.7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	SOT-23
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	92 miliomy
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	1.25 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-16 V, +16 V
Szerokość	1.4mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	2,5 nC przy 4,5 V
Długość	3.04mm
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Wysokość	1.02mm

MOSFET N-kanałowy 2.7 A SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 1.25 W 92 miliomy

Tranzystor MOSFET o mocy od 60 V do 80 V, Infineon

.