MOSFET N-kanałowy 5.3 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1.3 W 27 miliomów

Nr art. RS:: 725-9344
Nr części producenta:: IRLML0030TRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 5.3 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1.3 W 27 miliomów

460 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

1080 Dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Cena netto za szt. (opak. á 20)

0,89 zł

(bez VAT)

1,09 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę	Za opakowanie*
20 - 180	0,89 zł	17,74 zł
200 - 480	0,63 zł	12,58 zł
500 - 980	0,59 zł	11,70 zł
1000 - 1980	0,55 zł	10,98 zł
2000 +	0,51 zł	10,14 zł

*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 725-9344
Nr części producenta:: IRLML0030TRPBF
Producent:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	5.3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	SOT-23
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	27 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2.3V
Minimalne napięcie progowe VGS	1.3V
Maksymalna strata mocy	1.3 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Szerokość	1.4mm
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Liczba elementów na układ	1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	2,6 nC przy 4,5 V
Materiał tranzystora	Si
Długość	3.04mm
Wysokość	1.02mm
Minimalna temperatura robocza	-55 °C

MOSFET N-kanałowy 5.3 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1.3 W 27 miliomów

MOSFET o mocy 30 V, Infineon

.