Usługi
Pomoc
Nowe produkty
Śledzenie przesyłki
Zaloguj się
Zaloguj się
/
Zarejestruj się
aby uzyskać dostęp do korzyści
Menu
MPN
Ostatnio wyszukiwane
Dostęp, przechowywanie i przemieszczanie
Elementy złączne i mocujące
Instalacja wodno-kanalizacyjna
Kleje, uszczelniacze i taśmy
Materiały konstrukcyjne i drobne przemysłowe wyroby metalowe
Mechaniczne przeniesienie napędu
Narzędzia elektromechaniczne, lutowanie i spawanie
Narzędzia ręczne
Pneumatyka i hydraulika
Łożyska i uszczelki
Baterie i ładowarki
Elementy pasywne
Ochrona antystatyczna, Pomieszczenia sterylne i tworzenie prototypów płytek drukowanych
Półprzewodniki
Raspberry Pi, Arduino, ROCK i narzędzia rozwojowe
Urządzenia zasilające i transformatory
Wyświetlacze i optoelektronika
Złącza
Automatyka i sterowanie
Bezpieczniki i wyłączniki
HVAC, Wentylatory i systemy zarządzania ciepłem
Kable i przewody
Obudowy i szafy serwerowe
Oświetlenie
Przekaźniki i kondycjonowanie sygnałów
Przełączniki
Artykuły biurowe
Bezpieczeństwo i wyroby żelazne
Bezpieczeństwo pracy
Czyszczenie i konserwacja budynków
Komputery i urządzenia peryferyjne
Osobiste wyposażenie ochronne i odzież robocza
Technika pomiarowa
Półprzewodniki
Elementy dyskretne
Tranzystory MOSFET
MOSFET N-kanałowy 30 A DR 70 V Montaż na śrubie Wspólne źródło 438 W
Nr art. RS:
738-7682
Nr części producenta:
D1028UK
Producent:
Semelab
Zobacz kategorię
Produkt wycofany
Nr art. RS:
738-7682
Nr części producenta:
D1028UK
Producent:
Semelab
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dane techniczne
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Zgodne z RoHS
Oświadczenie o zgodności
Kraj pochodzenia:
GB
Tranzystory RF MOSFET Semelab
.
Tranzystory MOSFET Semelab
Atrybut
Parametr
Typ kanału
N
Maksymalny ciągły prąd drenu
30 A
Maksymalne napięcie dren-źródło
70 V
Seria
TetraFET
Typ opakowania
DR
Typ montażu
Montaż na śrubie
Liczba styków
5
Tryb kanałowy
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS
7V
Maksymalna strata mocy
438 W
Konfiguracja tranzystora
Wspólne źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
-20 V, +20 V
Materiał tranzystora
Si
Maksymalna temperatura robocza
+200°C
Długość
34.03mm
Liczba elementów na układ
2
Szerokość
10.16mm
Wysokość
5.08mm