MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 220 mA; 410 mA SOT-363 25 V SMD Izolacja 300 mW 1.9 Ω, 7 Ω

Tranzystory działające w trybie poprawy efektów polowych są produkowane przy użyciu własnych tranzystorów Fairchild, o wysokiej gęstości komórek, technologii DMOS. Ten proces o bardzo dużej gęstości został zaprojektowany w celu zminimalizowania odporności na zmiany stanu, zapewnienia solidnej i niezawodnej wydajności oraz szybkiego przełączania.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.