MOSFET N-kanałowy 2.6 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 1.8 W 150 miliomów

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Cena netto szt. (na rolce)**. Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

2,91 zł

(bez VAT)

3,58 zł

(z VAT)

8270 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

Wysyłka standardowa

**cena za opakowanie

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	2.6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	SOT-223
Seria	SIPMOS®
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	150 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2V
Minimalne napięcie progowe VGS	1.2V
Maksymalna strata mocy	1.8 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ	1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	14 nC przy 10 V
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	3.5mm
Długość	6.5mm
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Wysokość	1.6mm