MOSFET N-kanałowy 21 A TO-220 560 V Pojedynczy 208 W 190 miliomów
- Nr art. RS:
- 753-3207
- Nr części producenta:
- SPP21N50C3HKSA1
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 753-3207
- Nr części producenta:
- SPP21N50C3HKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon CoolMOS™ C3 Moc
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 21 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 560 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 190 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.9V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Maksymalna strata mocy | 208 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.57mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 95 nC przy 10 V |
| Długość | 10.36mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Wysokość | 9.45mm |
| Seria | CoolMOS C3 |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 753-3207
- Nr części producenta:
- SPP21N50C3HKSA1
- Producent:
- Infineon