MOSFET N-kanałowy 21 A DPAK (TO-252) 150 V SMD Pojedynczy 95 W 172 mΩ
- Nr art. RS:
- 759-9068
- Nr części producenta:
- FDD2582
- Producent:
- onsemi
Wysyłka standardowa
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
5,00 zł
(bez VAT)
6,14 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 5,00 zł | 9,99 zł |
| 10 - 98 | 4,23 zł | 8,46 zł |
| 100 - 248 | 3,22 zł | 6,44 zł |
| 250 - 498 | 3,11 zł | 6,21 zł |
| 500 + | 2,73 zł | 5,45 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 759-9068
- Nr części producenta:
- FDD2582
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
PowerTrench® N-Channel MOSFET, od 20A do 59.9A, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 21 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 150 V |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Seria | PowerTrench |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 172 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 95 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Długość | 6.73mm |
| Szerokość | 6.22mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 19 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 2.39mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 759-9068
- Nr części producenta:
- FDD2582
- Producent:
- onsemi