MOSFET P-kanałowy podwójny FDMA6023PZT 20 V 3,6 A 6-Pin MLP SMD PowerTrench Izolacja Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor

Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET, wykorzystujące ekranowaną strukturę bramki zapewniającą równowagę ładowania. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż w poprzedniej generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® umożliwia wyeliminowanie obwodu tabakorowego lub zastąpienie wyższego poziomu napięcia MOSFET.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 3,6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Typ opakowania MLP
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 6
Maksymalna rezystancja dren-źródło 170 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS 0.4V
Maksymalna strata mocy 1,4 W
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło -8 V, +8 V
Liczba elementów na układ 2
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Seria PowerTrench
Wysokość 0.5mm
Materiał tranzystora Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 12 nC przy 4,5 V
Minimalna temperatura robocza -55°C
Szerokość 2mm
Długość 2mm
420 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (na taśmie á 10)
2,44
(bez VAT)
3,00
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tape*
10 - 40
2,44 zł
24,42 zł
50 - 90
2,32 zł
23,22 zł
100 - 240
1,56 zł
15,58 zł
250 - 490
1,47 zł
14,74 zł
500 +
1,40 zł
14,03 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: