MOSFET N-kanałowy 1 A SC-62 30 V SMD Pojedynczy 3 W
- Nr art. RS:
- 760-3132P
- Nr części producenta:
- 2SK3074(TE12L,F)
- Producent:
- Toshiba
266 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie
15,98 zł
(bez VAT)
19,66 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 10 - 24 | 15,98 zł |
| 25 - 49 | 14,90 zł |
| 50 - 99 | 13,77 zł |
| 100 + | 12,64 zł |
- Nr art. RS:
- 760-3132P
- Nr części producenta:
- 2SK3074(TE12L,F)
- Producent:
- Toshiba
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET RF, Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 1 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Seria | 2SK |
| Typ opakowania | SC-62 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.4V |
| Maksymalna strata mocy | 3 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | +25 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Szerokość | 2.5mm |
| Długość | 4.6mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowe wzmocnienie | 14.9 dB |
| Wysokość | 1.6mm |
- Nr art. RS:
- 760-3132P
- Nr części producenta:
- 2SK3074(TE12L,F)
- Producent:
- Toshiba