MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 600 V Pojedynczy 140 W 165 miliomów
- Nr art. RS:
- 761-0083
- Nr części producenta:
- STP26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 31.03.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
25,52 zł
(bez VAT)
31,39 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 25,52 zł |
| 10 - 24 | 23,04 zł |
| 25 - 99 | 21,83 zł |
| 100 - 499 | 17,42 zł |
| 500 + | 15,44 zł |
- Nr art. RS:
- 761-0083
- Nr części producenta:
- STP26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 20 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Seria | MDmesh |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 165 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 140 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +25 V |
| Długość | 10.4mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Szerokość | 4.6mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 60 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 15.75mm |
- Nr art. RS:
- 761-0083
- Nr części producenta:
- STP26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics