MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 33 V Pojedynczy 110 W 11 miliomów
- Nr art. RS:
- 761-2928
- Nr części producenta:
- STP75NS04Z
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 30.09.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
5,04 zł
(bez VAT)
6,20 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 5,04 zł | 25,20 zł |
| 10 - 95 | 4,26 zł | 21,29 zł |
| 100 - 495 | 3,30 zł | 16,52 zł |
| 500 - 995 | 2,80 zł | 14,00 zł |
| 1000 + | 2,35 zł | 11,75 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 761-2928
- Nr części producenta:
- STP75NS04Z
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 80 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 33 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Seria | STripFET |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 11 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 110 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 50 nC przy 10 V |
| Długość | 10.4mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.6mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 15.75mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |