MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,5 A; 3,9 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 95 mΩ, 190 mΩ
- Nr art. RS:
- 772-8938
- Nr części producenta:
- SI4532DY
- Producent:
- onsemi
Wysyłka standardowa
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
4,49 zł
(bez VAT)
5,52 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 - 90 | 4,49 zł | 44,91 zł |
| 100 - 240 | 3,39 zł | 33,89 zł |
| 250 - 490 | 3,35 zł | 33,48 zł |
| 500 - 990 | 2,86 zł | 28,62 zł |
| 1000 + | 2,34 zł | 23,36 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 772-8938
- Nr części producenta:
- SI4532DY
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dwa tryby usprawniające MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzystory działające w trybie poprawy efektów polowych są produkowane przy użyciu własnych tranzystorów Fairchild, o wysokiej gęstości komórek, technologii DMOS. Ten proces o bardzo dużej gęstości został zaprojektowany w celu zminimalizowania odporności na zmiany stanu, zapewnienia solidnej i niezawodnej wydajności oraz szybkiego przełączania.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N, P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,5 A; 3,9 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 95 mΩ, 190 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 2 W |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 15 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Długość | 5mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 1.5mm |