MOSFET N-kanałowy podwójny FDS6912A 30 V 6 A 8-Pin SOIC SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer an increase in system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and a soft reverse recovery body diode, which contribute towards fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor

Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 44 mΩ
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 1,6 W
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 23 ns
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 2
Wysokość 1.5mm
Seria PowerTrench
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Długość 5mm
Wymiary 5 x 4 x 1.5mm
Materiał tranzystora Si
Typowy czas opóźnienia włączenia 8 ns
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 5,8 nC przy 10 V
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 575 pF przy 15 V
350 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 25)
1,95
(bez VAT)
2,40
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
25 - 100
1,95 zł
48,80 zł
125 - 600
1,80 zł
44,90 zł
625 - 1225
1,76 zł
44,00 zł
1250 - 2475
1,72 zł
43,10 zł
2500 +
1,59 zł
39,65 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: