MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,1 A; 4,6 A WDFN 20 V SMD Izolacja 2.3 W 120 miliomów; 200 miliomów
- Nr art. RS:
- 780-0655
- Nr części producenta:
- NTLJD3119CTBG
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
2,73 zł
(bez VAT)
3,36 zł
(z VAT)
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 03.03.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,73 zł | 27,32 zł |
| 100 - 490 | 1,92 zł | 19,17 zł |
| 500 - 990 | 1,67 zł | 16,66 zł |
| 1000 - 2990 | 1,41 zł | 14,13 zł |
| 3000 + | 1,33 zł | 13,27 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 780-0655
- Nr części producenta:
- NTLJD3119CTBG
- Producent:
- onsemi
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 10 A WDFN 20 V SMD Izolacja 2,14 W 14 miliomów
- MOSFET P-kanałowy 2.3 A SOT-23 20 V SMD Izolacja 960 mW 115 miliomów
- Cyfrowy tranzystor NPN WDFN 20 V Montaż powierzchniowy NSS20501UW3T2G
- MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 37 A MicroFET 2 x 2 20 V SMD Izolacja...
- MOSFET N-kanałowy 97 W 28 miliomów
- MOSFET P-kanałowy 24 W 530 miliomów
- MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 37 A MicroFET 2 x 2 20 V SMD Izolacja...
- MOSFET P-kanałowy 2,3 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 400 miliomów