MOSFET P-kanałowy 6 A SOT-23 12 V SMD Pojedynczy 1,7 W 19 omów
- Nr art. RS:
- 787-9222
- Nr części producenta:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
70 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
240 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
2,19 zł
(bez VAT)
2,69 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 - 90 | 2,19 zł | 21,87 zł |
| 100 - 490 | 2,06 zł | 20,57 zł |
| 500 - 990 | 1,85 zł | 18,54 zł |
| 1000 - 2490 | 1,75 zł | 17,51 zł |
| 2500 + | 1,64 zł | 16,43 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 787-9222
- Nr części producenta:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
P-Channel MOSFET, 8 V do 20 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 6 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 12 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 19 omów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.4V |
| Maksymalna strata mocy | 1,7 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +8 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 23 nC przy 8 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 3.04mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Szerokość | 1.4mm |
| Wysokość | 1.02mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 787-9222
- Nr części producenta:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Producent:
- Vishay