MOSFET P-kanałowy 150 mA SOT-323 50 V SMD Pojedynczy 310 mW 7,5 oma
- Nr art. RS:
- 792-0910P
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia
200 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie
0,52 zł
(bez VAT)
0,64 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 300 - 500 | 0,52 zł |
| 600 - 1100 | 0,39 zł |
| 1200 - 2300 | 0,30 zł |
| 2400 + | 0,28 zł |
- Nr art. RS:
- 792-0910P
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 150 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 50 V |
| Typ opakowania | SOT-323 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7,5 oma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.1V |
| Maksymalna strata mocy | 310 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 1.35mm |
| Długość | 2.2mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 0,26 nC przy 5 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1mm |
- Nr art. RS:
- 792-0910P
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia