MOSFET P-kanałowy 12 A DPAK (TO-252) 30 V SMD Pojedynczy 40 W 45 miliomów

Cena netto szt. (na rolce)**. Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

1,96 zł

(bez VAT)

2,41 zł

(z VAT)

1970 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

Wysyłka standardowa

Produkty	Za jednostkę
10 +	1,96 zł

**cena za opakowanie

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	12 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Seria	STripFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	45 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	40 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ	1
Długość	6.6mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	12 nC przy 4,5 V
Szerokość	6.2mm
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Materiał tranzystora	Si
Wysokość	2.4mm