MOSFET P-kanałowy 10 A SOP 30 V SMD Pojedynczy 1,9 W 17 miliomów
- Nr art. RS:
- 796-5115
- Nr części producenta:
- TPC8125
- Producent:
- Toshiba
20 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
175 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
2,51 zł
(bez VAT)
3,09 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 45 | 2,51 zł | 12,56 zł |
| 50 - 495 | 2,39 zł | 11,93 zł |
| 500 - 2495 | 2,26 zł | 11,30 zł |
| 2500 - 4995 | 2,02 zł | 10,08 zł |
| 5000 + | 1,89 zł | 9,45 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 796-5115
- Nr części producenta:
- TPC8125
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Channel, seria TPC Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Seria | TPC |
| Typ opakowania | SOP |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 17 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 1,9 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 64 nC przy 10 V |
| Długość | 4.9mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 3.9mm |
| Wysokość | 1.52mm |
- Nr art. RS:
- 796-5115
- Nr części producenta:
- TPC8125
- Producent:
- Toshiba