MOSFET P-kanałowy 10 A SOP 30 V SMD Pojedynczy 1,9 W 17 miliomów
- Nr art. RS:
- 796-5115P
- Nr części producenta:
- TPC8125
- Producent:
- Toshiba
3910 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie
2,39 zł
(bez VAT)
2,94 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 50 - 495 | 2,39 zł |
| 500 - 2495 | 2,26 zł |
| 2500 - 4995 | 2,02 zł |
| 5000 + | 1,89 zł |
- Nr art. RS:
- 796-5115P
- Nr części producenta:
- TPC8125
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Channel, seria TPC Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Seria | TPC |
| Typ opakowania | SOP |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 17 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 1,9 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +20 V |
| Szerokość | 3.9mm |
| Długość | 4.9mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 64 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 1.52mm |
- Nr art. RS:
- 796-5115P
- Nr części producenta:
- TPC8125
- Producent:
- Toshiba