MOSFET N-kanałowy 10 A TO-3PN 800 V Pojedynczy 250 W 1 om
- Nr art. RS:
- 796-5159
- Nr części producenta:
- TK10J80E
- Producent:
- Toshiba
20 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt. (opak. á 5)
14,86 zł
(bez VAT)
18,28 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 + | 14,86 zł | 74,30 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 796-5159
- Nr części producenta:
- TK10J80E
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 800 V |
| Typ opakowania | TO-3PN |
| Seria | TK |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1 om |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 250 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Szerokość | 4.5mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 46 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 15.5mm |
| Wysokość | 20mm |
- Nr art. RS:
- 796-5159
- Nr części producenta:
- TK10J80E
- Producent:
- Toshiba