MOSFET N-kanałowy 32 A TO-264 1000 V Pojedynczy 1,25 kW 320 miliomów
- Nr art. RS:
- 801-1409
- Nr części producenta:
- IXFK32N100Q3
- Producent:
- IXYS
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt.
137,66 zł
(bez VAT)
169,32 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 4 | 137,66 zł |
| 5 - 9 | 117,18 zł |
| 10 - 24 | 112,05 zł |
| 25 - 74 | 108,09 zł |
| 75 + | 105,89 zł |
- Nr art. RS:
- 801-1409
- Nr części producenta:
- IXFK32N100Q3
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3
Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapewniają niski poziom naładowania bramki z wyjątkową wytrzymałością. Urządzenia są wyposażone w diodę o dużej wewnętrznej mocy i są dostępne w różnych standardowych opakowaniach, w tym w opakowaniach izolowanych, o znamionach do 1100 V i 70 A. Typowe zastosowania obejmują przemienniki DC-DC, ładowarki akumulatorów, przełączniki i zasilacze rezonansowe, DC Choppers, sterowanie temperaturą i oświetleniem.
Szybka dioda prostownicza
Niski RDS(włączone) i QG (ładowanie bramki)
Niska wewnętrzna oporność bramki
Obudowy zgodne z normami przemysłowymi
Niska indukcyjność obudowy
Duża gęstość mocy
Niski RDS(włączone) i QG (ładowanie bramki)
Niska wewnętrzna oporność bramki
Obudowy zgodne z normami przemysłowymi
Niska indukcyjność obudowy
Duża gęstość mocy
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 32 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 1000 V |
| Seria | HiperFET, Q3-Class |
| Typ opakowania | TO-264 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 320 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 6.5V |
| Maksymalna strata mocy | 1,25 kW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 195 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 19.96mm |
| Szerokość | 5.13mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 26.16mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |