MOSFET N-kanałowy 110 A PLUS264 600 V Pojedynczy 1,89 kW 56 miliomów
- Nr art. RS:
- 802-4344
- Nr części producenta:
- IXFB110N60P3
- Producent:
- IXYS
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt.
101,48 zł
(bez VAT)
124,82 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 4 | 101,48 zł |
| 5 - 9 | 95,00 zł |
| 10 - 24 | 90,86 zł |
| 25 - 99 | 83,97 zł |
| 100 + | 75,42 zł |
- Nr art. RS:
- 802-4344
- Nr części producenta:
- IXFB110N60P3
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar3™
Seria N IXYS polar3™ tranzystorów zasilających MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™)
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 110 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | PLUS264 |
| Seria | HiperFET, Polar3 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 56 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Maksymalna strata mocy | 1,89 kW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 245 nC przy 10 V |
| Długość | 20.29mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Szerokość | 5.31mm |
| Wysokość | 26.59mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |