MOSFET P-kanałowy 6,5 A SOIC 40 V SMD Izolacja 3,2 W 34 miliomy
- Nr art. RS:
- 818-1302
- Nr części producenta:
- SI4909DY-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 20)
3,41 zł
(bez VAT)
4,20 zł
(z VAT)
5320 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 3,41 zł | 68,28 zł |
| 100 - 180 | 2,90 zł | 58,04 zł |
| 200 - 480 | 2,46 zł | 49,16 zł |
| 500 - 980 | 2,29 zł | 45,74 zł |
| 1000 + | 2,18 zł | 43,62 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 818-1302
- Nr części producenta:
- SI4909DY-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Powiązane linki
- MOSFET P-kanałowy 62 W 34 miliomy
- MOSFET N-kanałowy 67 W 52 miliomy
- MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 8 A SOIC 40 V SMD Izolacja 3 34 mΩ
- MOSFET P-kanałowy 8 A SOIC 30 V SMD Izolacja 5 W 41 miliomów
- MOSFET P-kanałowy 4 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 58 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 51 W 72 miliomy
- MOSFET N-kanałowy 4.3 A SOIC 60 V SMD Izolacja 2 W 58 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 4,3 A SOIC 60 V SMD Izolacja 2 W 58 miliomów