MOSFET N-kanałowy 240 A D2PAK-7 60 V SMD Pojedynczy 375 W 1,4 milioma
- Nr art. RS:
- 820-8867
- Nr części producenta:
- IRFS7530TRL7PP
- Producent:
- Infineon
10 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
10 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
11,86 zł
(bez VAT)
14,59 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 18 | 11,86 zł | 23,72 zł |
| 20 - 48 | 8,91 zł | 17,82 zł |
| 50 - 98 | 8,51 zł | 17,01 zł |
| 100 - 198 | 8,31 zł | 16,61 zł |
| 200 + | 8,10 zł | 16,20 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 820-8867
- Nr części producenta:
- IRFS7530TRL7PP
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor Power MOSFET StragIFF™, Infineon
Rodzina Infineon StrongIFF jest zoptymalizowana do obsługi niskich sygnałów DS (wł.) i wysokich prądów. Oferta ta oferuje ulepszone zabezpieczenia bramowe, lawinowe i dynamiczną odporność dv/dt, idealne do zastosowań przemysłowych o niskich częstotliwościach, takich jak napędy silnikowe, narzędzia elektryczne, inwertory i zarządzanie akumulatorami, gdzie wydajność i niezawodność są niezbędne.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 240 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | D2PAK-7 |
| Seria | StrongIRFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 7 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,4 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.7V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Maksymalna strata mocy | 375 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 10.67mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 236 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Szerokość | 9.65mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 4.83mm |
- Nr art. RS:
- 820-8867
- Nr części producenta:
- IRFS7530TRL7PP
- Producent:
- Infineon