MOSFET N-kanałowy 4,9 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 80 mΩ

Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

Ten N-kanałowy tranzystor MOSFET został zaprojektowany z myślą o wydajnym zarządzaniu energią w różnych zastosowaniach elektronicznych. Dzięki maksymalnemu ciągłemu prądowi drenu wynoszącemu 4,9 A i napięciu dren-źródło 30 V, zapewnia on wysoką wydajność w różnych środowiskach. Możliwość montażu powierzchniowego sprawia, że nadaje się do kompaktowych projektów obwodów, w których ważna jest oszczędność miejsca i wydajność termiczna. Urządzenie to wykazuje niezawodność i skuteczność w automatyce i elektronice.

• Zwiększona wydajność przy niskim Rds(on) wynoszącym 80 mΩ
• Wysoka zdolność rozpraszania energii z maksymalną mocą 2W
• Integracja dwukanałowa dla zwiększenia funkcjonalności w projektach
• Wytrzymała praca w temperaturze do +150°C dla wszechstronnych zastosowań
• Zoptymalizowany do pracy w trybie ulepszonym w celu poprawy zarządzania energią
• Kompaktowa obudowa SOIC ułatwia integrację z nowoczesnymi płytkami PCB

• Używany w obwodach zasilania do regulacji napięcia
• Stosowane w systemach sterowania silnikami w celu zapewnienia wydajnej pracy
• Nadaje się do oświetlenia wymagające solidnego przełączania
• Zintegrowany z elektroniką użytkową w celu poprawy wydajności energetycznej
• Idealny do systemów motoryzacyjnych wymagających niezawodnej wydajności

Maksymalne napięcie bramka-źródło wynosi ±20 V, co zapewnia kompatybilność z różnymi obwodami sterującymi.

Niższy współczynnik Rds(on) zmniejsza straty mocy podczas pracy, zwiększając ogólną wydajność aplikacji.

Tak, działa w zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co sprawdza się w trudnych warunkach.

Jest on przeznaczony do płytek drukowanych w technologii montażu powierzchniowego (SMT), co pozwala na efektywne wykorzystanie przestrzeni.

Należy zachować ostrożność przy stosowaniu odpowiednich technik lutowania, aby uniknąć uszkodzeń termicznych i zapewnić bezpieczne dopasowanie do płytki drukowanej.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.