RS Components
Nasza strona wykorzystuje pliki cookie i podobne technologie, aby zapewnić lepszą obsługę podczas wyszukiwania produktów lub składania zamówień, a także w celu opracowania analiz oraz umożliwienia personalizacji naszych reklam.
 
MPN

MOSFET P-kanałowy podwójny IRF7316TRPBF 30 V 4,9 A 8-Pin SOIC SMD HEXFET Izolacja Si


3860 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Add to Basket

Cena za szt. (opak. á 20)

3,08 zł

(bez VAT)

3,79 zł

(z VAT)

Sztuki

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
826-8872
Nr części producenta:
IRF7316TRPBF
Producent:
Infineon
Kraj pochodzenia:
TH
SztukiPer unitZa opakowanie*
20 +3,08 zł61,68 zł
*cena za opakowanie

MOSFET o mocy 30 V, Infineon


Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.


Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

AtrybutParametr
Typ kanałuP
Maksymalny ciągły prąd drenu4,9 A
Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
Typ opakowaniaSOIC
Typ montażuMontaż powierzchniowy
Liczba styków8
Maksymalna rezystancja dren-źródło98 mΩ
Tryb kanałowyRozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS1V
Minimalne napięcie progowe VGS1V
Maksymalna strata mocy2 W
Konfiguracja tranzystoraIzolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ2
Długość5mm
Maksymalna temperatura robocza+150°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs23 nC przy 10 V
Minimalna temperatura robocza-55°C
Szerokość4mm
Wysokość1.5mm
Materiał tranzystoraSi
SeriaHEXFET