MOSFET P-kanałowy podwójny IRF7316TRPBF 30 V 4,9 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 826-8872
  • Nr części producenta IRF7316TRPBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MY
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,9 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 98 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Wysokość 1.5mm
Seria HEXFET
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 23 nC przy 10 V
Minimalna temperatura robocza -55°C
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 2
Długość 5mm
Materiał tranzystora Si
3840 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 20)
1,07
(bez VAT)
1,32
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
20 +
1,07 zł
21,48 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: