MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,9 A; 6,5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 46 mΩ, 98 mΩ

Nr art. RS:: 826-8879P
Nr części producenta:: IRF7319TRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,9 A; 6,5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 46 mΩ, 98 mΩ

Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 13.08.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

2,43 zł

(bez VAT)

2,99 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę
100 - 180	2,43 zł
200 - 480	2,28 zł
500 - 980	2,12 zł
1000 +	1,96 zł

Nr art. RS:: 826-8879P
Nr części producenta:: IRF7319TRPBF
Producent:: Infineon

IRF7319TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu	4,9 A; 6,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	SOIC
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	46 mΩ, 98 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	1V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	2 W
Konfiguracja tranzystora	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ	2
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Długość	5mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	22 nC przy 10 V, 23 nC przy 10 V
Szerokość	4mm
Materiał tranzystora	Si
Wysokość	1.5mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,9 A; 6,5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 46 mΩ, 98 mΩ

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon

.