MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,3 A; 7,3 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,5 W 46 mΩ, 98 mΩ

Nr art. RS:: 826-8908P
Nr części producenta:: IRF7389TRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,3 A; 7,3 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,5 W 46 mΩ, 98 mΩ

Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.

Wysyłka standardowa

Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

2,45 zł

(bez VAT)

3,01 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę
100 - 180	2,45 zł
200 - 480	2,27 zł
500 - 980	2,14 zł
1000 +	1,96 zł

Nr art. RS:: 826-8908P
Nr części producenta:: IRF7389TRPBF
Producent:: Infineon

IRF7389TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu	5,3 A; 7,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	SOIC
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	46 mΩ, 98 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	1V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	2,5 W
Konfiguracja tranzystora	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Długość	5mm
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	4mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	22 nC przy 10 V, 23 nC przy 10 V
Liczba elementów na układ	2
Wysokość	1.5mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,3 A; 7,3 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,5 W 46 mΩ, 98 mΩ

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon

.