MOSFET P-kanałowy 480 mA SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 710 mW 2 omy
- Nr art. RS:
- 827-0507
- Nr części producenta:
- DMP31D0U-7
- Producent:
- DiodesZetex
7000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 50)
1,36 zł
(bez VAT)
1,68 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 50 - 450 | 1,36 zł | 68,15 zł |
| 500 - 1200 | 1,16 zł | 57,85 zł |
| 1250 - 4950 | 1,02 zł | 51,05 zł |
| 5000 + | 0,89 zł | 44,30 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 827-0507
- Nr części producenta:
- DMP31D0U-7
- Producent:
- DiodesZetex
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
P-Channel MOSFET, 30V, Diody Inc
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 480 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 2 omy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1.1V |
| Maksymalna strata mocy | 710 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +8 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 1,5 nC przy 8 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 3mm |
| Szerokość | 1.4mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 1.1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 827-0507
- Nr części producenta:
- DMP31D0U-7
- Producent:
- DiodesZetex