MOSFET N-kanałowy 11,5 A DPAK (TO-252) 600 V SMD Pojedynczy 100 W 340 miliomów
- Nr art. RS:
- 827-6126
- Nr części producenta:
- TK12P60W,RVQ(S
- Producent:
- Toshiba
1560 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto za szt. (opak. á 4)
9,54 zł
(bez VAT)
11,73 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 4 - 36 | 9,54 zł | 38,16 zł |
| 40 - 76 | 7,42 zł | 29,66 zł |
| 80 + | 6,05 zł | 24,21 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 827-6126
- Nr części producenta:
- TK12P60W,RVQ(S
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Seria | TK |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 340 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.7V |
| Maksymalna strata mocy | 100 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Szerokość | 6.1mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 25 nC przy 10 V |
| Długość | 6.6mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 2.3mm |
- Nr art. RS:
- 827-6126
- Nr części producenta:
- TK12P60W,RVQ(S
- Producent:
- Toshiba