MOSFET N-kanałowy 72 A TO-220SIS 80 V Pojedynczy 45 W 4.5 mΩ
- Nr art. RS:
- 827-6264
- Nr części producenta:
- TK72A08N1,S4X(S
- Producent:
- Toshiba
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Cena netto za szt. (opak. á 5)
7,66 zł
(bez VAT)
9,42 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 7,66 zł | 38,30 zł |
| 25 - 45 | 6,40 zł | 32,00 zł |
| 50 - 245 | 5,61 zł | 28,04 zł |
| 250 - 495 | 5,32 zł | 26,60 zł |
| 500 + | 5,19 zł | 25,97 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 827-6264
- Nr części producenta:
- TK72A08N1,S4X(S
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, seria TK6 i TK7, Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 72 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 80 V |
| Seria | TK |
| Typ opakowania | TO-220SIS |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 4.5 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 45 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 4.5mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 81 nC przy 10 V |
| Długość | 10mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 15mm |
- Nr art. RS:
- 827-6264
- Nr części producenta:
- TK72A08N1,S4X(S
- Producent:
- Toshiba