MOSFET N-kanałowy 72 A TO-220 120 V Pojedynczy 225 W 4.4 mΩ
- Nr art. RS:
- 827-6277P
- Nr części producenta:
- TK72E12N1,S1X(S
- Producent:
- Toshiba
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 04.10.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto szt. (w tubie)
10,65 zł
(bez VAT)
13,10 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 25 - 45 | 10,65 zł |
| 50 - 120 | 9,29 zł |
| 125 - 245 | 8,69 zł |
| 250 + | 8,21 zł |
- Nr art. RS:
- 827-6277P
- Nr części producenta:
- TK72E12N1,S1X(S
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, seria TK6 i TK7, Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 72 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 120 V |
| Seria | TK |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 4.4 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 225 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 130 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.45mm |
| Długość | 10.16mm |
| Wysokość | 15.1mm |
- Nr art. RS:
- 827-6277P
- Nr części producenta:
- TK72E12N1,S1X(S
- Producent:
- Toshiba