MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 650 V Pojedynczy 170 W 150 miliomów

Nr art. RS:: 829-1507P
Nr części producenta:: STW28N60M2
Producent:: STMicroelectronics

MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 650 V Pojedynczy 170 W 150 miliomów

Zobacz kategorię

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Cena netto szt. (w tubie)**

14,99 zł

(bez VAT)

18,43 zł

(z VAT)

Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 09.06.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

Wysyłka standardowa

Produkty	Za jednostkę
10 - 18	14,23 zł
20 - 48	12,77 zł
50 - 98	11,53 zł
100 +	10,93 zł

**cena za opakowanie

Nr art. RS:: 829-1507P
Nr części producenta:: STW28N60M2
Producent:: STMicroelectronics

STB28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2, N-Channel 600V, 0.135 Ohm typ., 22A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 Packages
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	22 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	650 V
Typ opakowania	TO-247
Seria	MDmesh M2
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	150 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	170 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-25 V, +25 V
Szerokość	5.15mm
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Liczba elementów na układ	1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	36 nC przy 10 V
Materiał tranzystora	Si
Długość	15.75mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	20.15mm

MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 650 V Pojedynczy 170 W 150 miliomów

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

N-kanałowy zestaw do mikroelektroniki MDmesh™ serii M2 STMicroelectronics

.