MOSFET P-kanałowy 38 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD Pojedynczy 170 W 60 miliomów

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Cena netto szt. (na rolce)**. Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

11,90 zł

(bez VAT)

14,64 zł

(z VAT)

3430 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

Wysyłka standardowa

**cena za opakowanie

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	38 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	100 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	D2PAK (TO-263)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	60 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	170 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ	1
Długość	10.67mm
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	150 nC przy 10 V
Szerokość	9.65mm
Materiał tranzystora	Si
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	4.83mm