MOSFET N-kanałowy 6 A SC-67 800 V Pojedynczy 45 W 1,7 oma
- Nr art. RS:
- 890-2698
- Nr części producenta:
- 2SK4013,S5Q(J
- Producent:
- Toshiba
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
7,11 zł
(bez VAT)
8,75 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 7,11 zł | 35,55 zł |
| 25 - 45 | 5,52 zł | 27,59 zł |
| 50 - 95 | 5,35 zł | 26,73 zł |
| 100 - 245 | 5,27 zł | 26,37 zł |
| 250 + | 5,22 zł | 26,10 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 890-2698
- Nr części producenta:
- 2SK4013,S5Q(J
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, seria 2SK Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 6 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 800 V |
| Typ opakowania | SC-67 |
| Seria | 2SK |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,7 oma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 45 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 10mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 45 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.5mm |
| Wysokość | 15mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.7V |
- Nr art. RS:
- 890-2698
- Nr części producenta:
- 2SK4013,S5Q(J
- Producent:
- Toshiba