Tranzystor MOSFET N-kanałowy 207 A TO-220SIS 100 V Pojedynczy 45 W 3,8 milioma
- Nr art. RS:
- 891-2866
- Nr części producenta:
- TK100A10N1,S4X(S
- Producent:
- Toshiba
24 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt. (opak. á 2)
12,24 zł
(bez VAT)
15,06 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 12,24 zł | 24,48 zł |
| 10 - 18 | 10,83 zł | 21,65 zł |
| 20 - 48 | 9,45 zł | 18,90 zł |
| 50 - 98 | 8,82 zł | 17,64 zł |
| 100 + | 8,33 zł | 16,65 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 891-2866
- Nr części producenta:
- TK100A10N1,S4X(S
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 207 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 100 V |
| Typ opakowania | TO-220SIS |
| Seria | TK |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 3,8 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 45 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 10mm |
| Szerokość | 4.5mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 140 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.2V |
| Wysokość | 15mm |
- Nr art. RS:
- 891-2866
- Nr części producenta:
- TK100A10N1,S4X(S
- Producent:
- Toshiba