MOSFET N-kanałowy 330 mA SOT-23 9 V SMD Pojedynczy 360 mW 1,4 oma
- Nr art. RS:
- 912-5259P
- Nr części producenta:
- LND01K1-G
- Producent:
- Microchip
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 912-5259P
- Nr części producenta:
- LND01K1-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory N-Channel LND01 MOSFET
Microchip LND01 to niski próg, tryb tłumienia (zwykle włączony) tranzystora MOSFET. Konstrukcja łączy w sobie możliwości zasilania tranzystora bipolarnego z wysoką impedancją wejściową i dodatnim współczynnikiem temperatury urządzeń MOS.
Funkcje
Dwukierunkowe
Niska rezystancja w stanie włączenia
Niska pojemność wejściowa
Szybkie przełączanie prędkości
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Niskie zapotrzebowanie na napęd
Łatwość obsługi równoległej
Niska rezystancja w stanie włączenia
Niska pojemność wejściowa
Szybkie przełączanie prędkości
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Niskie zapotrzebowanie na napęd
Łatwość obsługi równoległej
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 330 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 9 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 5 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,4 oma |
| Tryb kanałowy | Wyczerpanie |
| Maksymalna strata mocy | 360 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +0,6 V |
| Długość | 3.05mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 1.75mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +125°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Minimalna temperatura robocza | -25°C |
| Wysokość | 1.3mm |
- Nr art. RS:
- 912-5259P
- Nr części producenta:
- LND01K1-G
- Producent:
- Microchip