MOSFET P-kanałowy 3,6 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1,3 W 64 mΩ
- Nr art. RS:
- 913-4060
- Nr części producenta:
- IRLML9301TRPBF
- Producent:
- Infineon
60000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,49 zł
(bez VAT)
0,60 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 3000 - 3000 | 0,49 zł | 1 455,00 zł |
| 6000 - 6000 | 0,46 zł | 1 383,00 zł |
| 9000 + | 0,43 zł | 1 296,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 913-4060
- Nr części producenta:
- IRLML9301TRPBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy 30 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,6 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 64 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.3V |
| Maksymalna strata mocy | 1,3 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 3.04mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 4,8 nC przy 4,5 V |
| Szerokość | 1.4mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.02mm |
- Nr art. RS:
- 913-4060
- Nr części producenta:
- IRLML9301TRPBF
- Producent:
- Infineon